Interné SSD Samsung 990 vo vyhotovení M.2 2280 s kapacitou 2 TB a rozhraním PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 ponúka sekvenčnú rýchlosť čítania až 7 250 MB/s a zápisu až 6 450 MB/s.

Disk je vybavený vlastným radičom Samsung a pamäťou Samsung V-NAND. Namiesto dedikovanej vyrovnávacej pamäte využíva technológiu HMB (Host Memory Buffer), ktorá čerpá z operačnej pamäte hostiteľského systému. Vďaka tomu je konštrukcia úsporná a disk dosahuje vysoký výkon aj v prostrediach s obmedzeným napájaním, ako sú notebooky.

Samsung 990 je vhodný pre náročné klientske aplikácie – od rýchleho spúšťania hier a prenosu rozsiahlych mediálnych súborov až po prácu s veľkými projektovými archívmi. Náhodné rýchlosti dosahujú až 850 000 IOPS pri čítaní a 1 200 000 IOPS pri zápise, čo zaisťuje plynulý chod aj pri intenzívnej práci s mnohými malými súbormi.

• Rozhranie PCIe 4.0 x4 s protokolom NVMe 2.0 zaisťuje sekvenčnú rýchlosť čítania až 7 250 MB/s a zápisu až 6 450 MB/s.
• Kapacita 2 TB poskytuje dostatok priestoru pre rozsiahle herné knižnice, 4K videozáznamy aj dlhodobé archívy.
• Náhodná rýchlosť zápisu až 1 200 000 IOPS a čítania až 850 000 IOPS zaisťujú rýchlu odozvu pri práci s mnohými súbormi súčasne.
• Technológia HMB (Host Memory Buffer) využíva operačnú pamäť systému ako vyrovnávaciu pamäť a prispieva k nízkej spotrebe energie.
• Priemerná spotreba energie pri čítaní 4,3 W a pri zápise 3,8 W; v režime spánku iba 3 mW.
• Podpora 256-bitového šifrovania AES, štandardov TCG/Opal V2.0 a šifrovaného disku IEEE 1667 chráni uložené dáta.
• Formát M.2 2280 s rozmermi 80,15 × 22,15 × 2,38 mm a hmotnosťou 9 g je vhodný pre desktopy aj notebooky.
• Spoľahlivosť podporená hodnotou MTBF 1,5 milióna hodín a odolnosťou voči nárazom 1 500 G po dobu 0,5 ms v 3 osiach.

Správa a zabezpečenie
Disk podporuje funkcie TRIM, S.M.A.R.T. a automatický Garbage Collection pre dlhodobé udržanie výkonu a integrity dát. Na správu, monitorovanie stavu a aktualizáciu firmvéru slúži softvér Samsung Magician.

Prevádzkové podmienky
Prevádzková teplota disku je v rozsahu 0 až +70 °C. Napájanie prebieha napätím 3,3 V ± 5 %. Disk podporuje režim spánku (Device Sleep) so spotrebou typicky 3 mW.

ZÁKLADNÉ ŠPECIFIKÁCIE

Kapacita: 2 TB
Typ zariadenia: M.2 2280
Rozhranie: PCIe 4.0 x4, NVMe 2.0
Sekvenčné čítanie: 7 250 MB/s
Sekvenčný zápis: 6 450 MB/s
Náhodné čítanie: 850 000 IOPS
Náhodný zápis: 1 200 000 IOPS
Pamäť: Samsung V-NAND
Vyrovnávacia pamäť: HMB (Host Memory Buffer)
Šifrovanie: 256-bitové AES, TCG/Opal V2.0, IEEE 1667
Spotreba energie (čítanie/zápis): 4,3 W / 3,8 W
Spotreba energie (neaktívna): 55 mW
Spotreba energie (režim spánku): 3 mW
Napájanie: 3,3 V ± 5 %
Prevádzková teplota: 0 až +70 °C
Odolnosť voči nárazom: 1 500 G / 0,5 ms / 3 osy
MTBF: 1 500 000 hodín
Rozmery: 80,15 × 22,15 × 2,38 mm
Hmotnosť: 9 g